32 μm 10G InGaAs-Fotodiode TO46

 

 

• Hohe Reaktionsfähigkeit (größer oder gleich 0,7 A/W): Gewährleistet eine effiziente Signalumwandlung und reduziert den Stromverbrauch für die -Produktion optischer Module in großem Maßstab-ideal für Großhandelskäufer von InGaAs-Fotodioden-TO46, die Wert auf Energieeffizienz legen.

• Niedriger Dunkelstrom (weniger als oder gleich 1 nA bei 5 V): Minimiert Signalrauschen, was für hochpräzise-Telekommunikations- und Sensoranwendungen entscheidend ist. Dieser Vorteil senkt die Ausfallraten bei Massenbereitstellungen.

• Niedrige Kapazität (weniger als oder gleich 0,25 pF): Ermöglicht eine stabile 10G-Bandbreitenleistung und erfüllt die Geschwindigkeitsanforderungen von 10G-SFP+-Modulen und Rechenzentrumsnetzwerken.

• Laserschweißen und TO-CAN-Paket: Verbessert die mechanische Stabilität und den thermischen Widerstand (-40 bis 85 Grad Betriebstemperatur), sorgt für eine lange Lebensdauer (mehr als oder gleich 50.000 Stunden) und reduziert die Austauschkosten für Kunden, die InGaAs-Fotodioden in großen Mengen kaufen.

• Geringe Rückflussdämpfung (größer oder gleich 35 dB): Reduziert die Signalreflexion und verbessert die Systemintegrität-wesentlich für Telekommunikationsinfrastrukturprojekte.

 

 

• Telekommunikationsnetze: Kompatibel mit SDH/SONET-Systemen, unterstützt Hochgeschwindigkeits-Signalempfang in Glasfaser-Langstreckenverbindungen-ideal für hohe Geschwindigkeiten Zuverlässigkeit 32μm InGaAs-Fotodiode für die Telekommunikationsbeschaffung.

• Optische 10G-SFP+-Module: Wird in Transceivern von Rechenzentren verwendet, um optische Signale in elektrische Signale umzuwandeln, wobei die niedrige Kapazität (kleiner oder gleich 0,25 pF) einen minimalen Signalverlust gewährleistet.

• Glasfasersensorik: Ideal für industrielle Sensorsysteme (z. B. Laserentfernungsmessung, Temperaturüberwachung) dank seiner großen Betriebswellenlänge (1100–1650 nm) und niedrigen Dunkelstrom.

• Industrielle Automatisierung: Integriert in optische Kommunikationsgeräte für die Fabrikautomation, wo eine lange Betriebslebensdauer (durch Laserschweißen) die Wartungskosten für Großhandelskäufer von InGaAs-Fotodioden TO46 reduziert.

 

Verkauf von Einheiten	Einzelstück
Einzelpackungsgröße	20X15X5 cm (Flexible Verpackung, geeignet für den internationalen Transport)
Einzelnes Bruttogewicht	0,250 KG

Menge (Stück)	1 - 100	101 - 1000	1001 - 10000	> 10000
Vorlaufzeit (Tage)	14	20	30	Zu verhandeln

Wir bieten maßgeschneiderte ODM-Lösungen für InGaAs-Fotodioden an, die Ihren spezifischen Anforderungen entsprechen:

• Anpassbare Parameter: Durchmesser des lichtempfindlichen Bereichs (32 μm/50 μm/75 μm), Gehäusetyp (TO46/TO56), Leitungslänge und Linsendesign.

• Entwicklungszyklus: 7–15 Tage (Muster zuerst; Massenproduktion beginnt nach Musterfreigabe).

 

Parameter	Symbol	Min.	Typ	Max.	Einheit
Sättigungsleistung	Ps	3	-	-	dBm
Vorwärtsstrom	Wenn	-	-	10	mA
Umkehrspannung	Vr	-	5	15	V
Betriebsgehäusetemperatur	Spitze	-40	-	85	Grad
Lagertemperatur	Tstg	-40	-	85	Grad
Bleilöten (Temperatur/Zeit)	-	-	260/10	-	Abschluss/Sek

 

Parameter	Symbol	Min.	Typ	Max.	Einheit	Testbedingung
Betriebswellenlänge	λ	1100	-	1650	nm
Reaktionsfähigkeit	R	0.7	-	-	A/W	Vr=5V,λ=1310nm
Dunkler Strom	Ausweis	-	0.2	1	n / A	Vr=5V
Kapazität	C	-	-	0.25	pF	Vr=5V,f=1MHz,Gehäuse offen
Bandbreite	Bw	10	-	-	GHz	Vr=5V,50 Last bei Leitungslänge=6mm,Gehäuse offen
Optische Rückflussdämpfung	RL	35	-	-	dB	λ=1310nm

 

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